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MI系列IGBT中電流
溝槽柵場(chǎng)截止型(trench-gate field-stop)IGBT：第二代（美蓓亞三美）
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產(chǎn)品選型
| 型號(hào) | 產(chǎn)品資料 | 集電極/發(fā)射極耐壓 VCES [V] | 集電極電流 IC [A] | 飽和電壓 VCE(sat) @Tj=25deg C 標(biāo)準(zhǔn) [V] | 飽和電壓 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V] | 門(mén)極電壓 VGES [V] | 閾值電壓 VGE(th) 下限 [V] | 閾值電壓 VGE(th) 上限 [V] | 柵極電阻Rgint 標(biāo)準(zhǔn) [Ω] | 芯片尺寸 ?X [mm] | 芯片尺寸 ?Y [mm] | 鍵合溫度 Tj [℃] |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMJ6545F00xx | MMJ6545F00xx_E.pdf | 650 | 45 | 1.55 | 1.85 | -30~30 | 5.20 | 6.60 | 4.98 | 4.98 | -40~175 | |
| MMJ6545G00xx | MMJ6545G00xx_E.pdf | 650 | 45 | 2.00 | 2.35 | -30~30 | 5.20 | 6.60 | 4.98 | 4.98 | -40~175 | |
| MMJ6575F00xx | MMJ6575F00xx_E.pdf | 650 | 75 | 1.55 | 1.85 | -30~30 | 5.20 | 6.60 | 1.70 | 6.60 | 5.90 | -40~175 |
| MMJ65A0F00xx | MMJ65A0F00xx_E.pdf | 650 | 100 | 1.45 | 1.75 | -30~30 | 5.20 | 6.60 | 1.70 | 6.00 | 9.00 | -40~175 |
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| MMJ65B0F00xx | MMJ65B0F00xx_E.pdf | 650 | 200 | 1.45 | 1.75 | -30~30 | 5.20 | 6.60 | 1.70 | 10.20 | 9.70 | -40~175 |
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| MMJ65A0G00xx | MMJ65A0G00xx_E.pdf | 650 | 100 | 1.90 | 2.25 | -30~30 | 5.20 | 6.60 | 1.70 | 9.00 | 6.00 | -40~175 |
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| MMJC550F00xx | MMJC550F00xx_E.pdf | 1250 | 50 | 1.65 | 1.95 | -30~30 | 5.00 | 6.80 | 4.00 | 7.18 | 6.80 | -40~175 |
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